半导体/电子行业超纯水系统
分割线半导体、集成电路芯片及封装、液晶显示、高精度线路板、光电器件、各种电子器件、微电子工业、大规模、超大规模集成电路等电子行业领域需用大量的纯水、超纯水清洗半成品、成品。集成电路的集成度越高,芯片上的组件或连接组件间的配线线径越细,对水质的要求也越高(一般要求超纯水电阻率18.2MΩ.cm(25℃)、TOC<5ppb、细菌内毒素<0.03EU/ml)。超纯水水质已成为影响电子元器件产品质量、生产成品率及生产成本的重要因素之一。
超纯水水质对电子/半导体行业产品品质的影响
在电解电容器生产中,铝箔及工作件的清洗需用超纯水,如水中含有氯离子,电容器就会漏电。在电子管生产中,电子管阴极涂敷碳酸盐,如其中混入杂质,就会影响电子的发射,进而影响电子管的放大性能及寿命,因此其配液要使用超纯水。在显像管和阴极射线管生产中,其荧光屏内壁用喷涂法或沉淀法附着一层荧光物质,是锌或其他金属的硫化物组成的荧光粉颗粒并用硅酸钾粘合而成,其配制需用超纯水,如超纯水中含铜在8ppb以上,就会引起发光变色;含铁在 50ppb以上就会使发光变色、变暗、闪光跳跃;含有机物胶体、微粒、细菌等,就会降低荧光层强度及其与玻壳的粘附力,并会造成气泡、条迹、漏光点等废次品。在黑白显像管荧光屏生产的 12个工序中,玻壳清洗、沉淀、湿润、洗膜、管颈清洗等5 个工序需使用超纯水,每生产一个显像管需用超纯水80kg。液晶显示器的屏面需用超纯水清洗和用超纯水配液,如超纯水中存在着金属离子、微生物、微粒等杂质,就会使液晶显示电路发生故障,影响液晶屏质量,导致废、次品。显像管、液晶显示器生产对超纯水水质的要求见附表1。
在晶体管、集成电路生产中,超纯水主要用于清洗硅片,另有少量用于药液配制,硅片氧化的水汽源,部分设备的冷却水,配制电镀液等。集成电路生产过程中的80%的工序需要使用超纯水清洗硅片,水质的好坏与集成电路的产品质量及生产成品率关系很大。水中的碱金属(K、Na等)会使绝缘膜耐压不良,重金属(Au、Ag、Cu等)会使PN结耐压降低,Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)会使N型半导体特性恶化,Ⅴ族元素(P、As、Sb等)会使P型半导体特性恶化,水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20-50%)会使P型硅片上的局部区域变为N型硅而导致器件性能变坏,水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面,就会引起电路短路或特性变差。集成电路生产对超纯水水质的要求见附表2。
沛亿半导体/电子行业超纯水系统工艺流程
根据客户需求,沛亿半导体/电子行业超纯水系统可采用以下两种制水工艺流程,两种流程产水水质均可满足半导体/电子行业超纯水水质标准。
制水工艺流程1(传统工艺):反渗透与离子交换相组合的工艺方式,其基本流程为:原水→机械过滤器→活性炭过滤器→树脂软水器(或阻垢计量加药系统)→精密过滤器→高压泵→反渗透设备→纯水箱→紫外灭菌仪→加压泵→(复床)混床→精密过滤器→用水点。
制水工艺流程2(最新工艺):反渗透与电去离子(EDI)相组合的工艺方式,这是一种制取超纯水的最新工艺,也是一种环保、经济、发展潜力巨大的超纯水制备工艺,其基本工艺流程为::原水→机械过滤器→活性炭过滤器→树脂软水器(或阻垢计量加药系统)→精密过滤器→高压泵→反渗透设备→纯水箱→紫外灭菌仪→加压泵→电去离子(EDI)→精密过滤器→用水点。
1.进水泵浦(交替运转) | 10.254nm紫外线杀菌器 |
2.活性碳过滤器 | 11.阳离子床 |
3.软化过滤器 | 12.阴离子床 |
4.精密过滤器 | 13.0.45电子级滤芯 |
5.抑垢剂用泵 | 14.185nm紫外线杀菌器 |
6.高压增压泵 | 15.增压输送泵 |
7.RO单元 | 16.精炼混合床 |
8.贮存槽 | 17.254nm紫外线杀菌器 |
9.纯水输送泵 | 18.0.2um电子级滤芯 |
注:上列流程谨供参考 |
沛亿半导体/电子行业超纯水系统特点
- 水箱缺水自动制水、满水自动停机、定时自维护冲洗、低压/高压报警等全自动功能。
- 全手动功能,可手动开启各个电磁阀和水泵,供应急或清洗消毒时使用。
- 软件计算系统最佳工作参数,压力、流量、脱盐率等。
- 反渗透膜、混床树脂、EDI模块等核心部件均为进口优质产品。
- PLC全自动控制系统,系统状态指示灯指示系统工作状态。
- 在线水质检测控制仪表,随时检测水质。
- 电子超纯水专用CPVC管道,溶出物超低,绝少泄漏。
- 可按客户需求设计超纯水输送管道系统为无死角循环系统,充分保证产水水质。
- CIP就地清洗消毒接口,方便设备清洗消毒维护。
半导体/电子行业超纯水系统工程实例
半导体/电子行业超纯水系统(预处理部分)
半导体/电子行业超纯水系统(EDI部分)
附表1:显像管、液晶显示器用超纯水水质要求
项目单位 | 电阻率 | 细菌 | 微粒 | TOC | Na+ | K+ | Cu | Fe | Zn |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MΩ.cm(25℃) | 个/ml | 个/ml | mg/L | μg/L | μg/L | μg/L | μg/L | μg/L | |
黑白显像管 | ≥5 | ≤5 | ≤10(Φ>0.5μ) | ≤0.5 | ≤10 | ≤10 | ≤8 | ≤10 | ≤10 |
彩色显像管 | ≥5 | ≤1 | ≤10(Φ>1μ) | ≤0.5 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
液晶显示器 | ≥5 | ≤1 | ≤10(Φ>1μ) | ≤1 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
附表2:集成电路(DRAM)对超纯水水质的要
集成电路(DRAM)集成度 | 16K | 64K | 256K | 1M | 4M | 16M | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
相邻线距(μm) | 4 | 2.2 | 1.8 | 1.2 | 0.8 | 0.5 | |
微粒 | 直径(μm) | 0.4 | 0.2 | 0.2 | 0.1 | 0.08 | 0.05 |
个数(PCS/ml) | <100 | <100 | <20 | <20 | <10 | <10 | |
细菌(CFU/100ML) | <100 | <50 | <10 | <5 | <1 | <0.5 | |
电阻率(MΩ.cm,25℃) | >16 | >17 | >17.5 | >18 | >18 | >18.2 | |
TOC(ppb) | <1000 | <500 | <100 | <50 | <30 | <10 | |
DO(ppb) | <500 | <200 | <100 | <80 | <50 | <10 | |
Na+(ppb) | <1 | <1 | <0.8 | <0.5 | <0.1 | <0.1 |
附表3:电子级水的技术指标
指标/级别 | EW-Ⅰ | EW-Ⅱ | EW-Ⅲ | EW-Ⅳ |
---|---|---|---|---|
电阻率 MΩ.cm(25℃) | 18以上(95%时 间)不低于17 | 15(95%时间) 不低于13 | 12 | 0.5 |
全硅,最大值,μg/L | 2 | 10 | 50 | 1000 |
>1μm微粒数,最大值,个/mL | 0.1 | 5 | 10 | 500 |
细菌个数,最大值,个/mL | 0.01 | 0.1 | 10 | 100 |
铜,最大值,μg/L | 0.2 | 1 | 2 | 500 |
锌,最大值,μg/L | 0.2 | 1 | 5 | 500 |
镍,最大值,μg/L | 0.1 | 1 | 2 | 500 |
钠,最大值,μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 1000 |
钾,最大值,μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 500 |
氯,最大值,μg/L | 1 | 1 | 10 | 1000 |
硝酸根,最大值,μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 |
磷酸根,最大值,μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 |
硫酸根,最大值,μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 |
总有机碳,最大值,μg/L | 20 | 100 | 200 | l000 |